Controleren van GaN Morfologie op Si(111) door Al Pre‑Depositie en Ga/N Verhouding in MBE

Samenvatting

Door de Ga/N verhouding af te stemmen en een korte Al pre‑depositie te introduceren, bereikten we precieze controle over GaN groeimodi – nanocolommen, nanowand netwerken en compacte films – op Si(111) via plasma‑geassisteerde moleculaire bundel epitaxie (PA‑MBE). GaN nanocolommen ontstonden onder N‑rijke condities op kaal Si, terwijl een hogere Ga flux een dense compacte film produceerde. Opmerkelijk leverde een 40‑seconden Al pre‑depositie vóór GaN groei een continu in‑plane nanowand netwerk op. Atoomkrachtmicroscopie onthulde dat Al ~80 nm druppels vormt (~6,7 nm hoog). We stellen een groeimodel voor waarbij GaN nucleeert op kaal Si, maar groei onderdrukt wordt boven Al druppels, wat leidt tot het karakteristieke netwerk. Deze benadering elimineert obstakels in nano‑apparaatfabricatie en demonstreert een schaalbare route naar hoge‑kwaliteit GaN nano‑structuren op silicium.

PEG‑CoFe₂O₄ Nanodeeltjes: Toxiciteitsbeoordeling en Curcumines Beschermende Effect Één‑Staps Akoestische Levitatie Maakt Rapide Synthese Mogelijk van Enkel‑Atoom Platina Nanoclusters en Pt‑Gedecoreerde Microporeuze La₂O₃ voor Katalyse