De J111 JFET Beheersen: Pinout, Belangrijkste Kenmerken, Toepassingen & Kernprincipes

Junction Field Effect Transistor (JFET) is een halfgeleiderapparaat dat de invoerspanning gebruikt om zijn uitgangskarakteristieken te controleren (spanningsgestuurd). Daarnaast heeft het drie terminalen doorheen welke het ofwel gaten of elektronen (draagsters) toepast in het geleiden van stroom. Een van de typen JFET is J111, wat onze hoofdfocus vandaag is. Als zodanig zullen we de pinconfiguratie, kenmerken, toepassingen bespreken, en dan een overzicht geven van het JFET-werkingsprincipe.

J111 JFET Pin Configuratie

J111 JFET heeft drie pinnen in zijn pinout. Ze omvatten poort, drain en bron pinnen.

• Pin 1 / Drain-terminal – Het laat stroom in de chip vloeien.
• Pin 2 / Bron-terminal – Het regelt JFET-biasing.
• Pin 3 / Poort-terminal – Het verbindt met GND en is een uitgang van stroom uit de chip.

Kenmerk

De kenmerken en maximumnominale waarden van J111 JFET omvatten het volgende:

Let op: Maximumnominale waarden zijn individuele stresslimietwaarden die het schadebedrag bepalen dat de J111 kan weerstaan.

• Het heeft een interne N0132S geometrie met hoge invoerimpedantie.
• Dan: het is RoHS-compatibel.
• Werktemperatuur en opslag-knooppunttemperatuur variëren van -65°C tot +150°C, terwijl het een poorttemperatuur van 300°C heeft.
• Ook: het heeft een hoge-vermogensversterking – 15mS typisch, en lage ruis – 1,2 nV/√Hz typisch.
• Zijn vermogensdissipatie is ongeveer 625mW.
• Verder: zowel de maximale poort-bron-spanning als de maximale drain-poort-spanning zijn 35V.
• Ten slotte: beschikbaar in TH (doorsteekbehuizing), Bare Die, en SMT-behuizingopties. Het omvat ook behuizingstype TO-92 pinnenaantal en een oppervlaktemontage SOT-23 behuizing.

Hoe Werkt JFET?

We zullen twee werkende scenario's gebruiken om uit te leggen hoe een JFET werkt:

Eerste Geval

Het begint met het aanleggen van spanning V_DS tussen de bron- en drainterminals zonder poortspanning. Gevolglik krijgt u depletielagen gevestigd door de twee p-n-overgangen in de balkzijden.

Dan begint de stroom van elektronen van de bron naar de drainterminaal door het kanaal gevormd tussen de depletielagen.

Let op: Depletielagens formaten bepalen de geleide stroom via de balk en de kanaalbreedte.

Tweede Geval

Hier werken we in omgekeerde richting. Daarom leggen we V_GS spanning aan tussen de bron- en poortterminals. Met de voorziening vergroten we de breedte van de depletielaag.

Daarna zal het geleidende kanaal afnemen dan de weerstand van de n-balk verhogen, daardoor de bron-naar-drainstroom verminderen.

Integenstelling, het verminderen van de omgekeerde bias van de poort verlaagt de breedte van de depletielaag. Daarna stijgt de stroom van bron naar drain door een vergrote breedte van het geleidende kanaal.

Let op dat n-kanaal en p-kanaal JFET's een vergelijkbare werking hebben. Het enige verschil is dat p-kanaal JFET's gaten gebruiken en niet elektronen als draagsters van kanaalstroom. Bovendien hebben ze omgekeerde V_GS en V_DS polariteiten.

Equivalent van J111

Als equivalent of vervanging van J111 N-kanaal JFET, kunt u J107 overwegen. Het is een kosteneffectieve schakelaar die functioneert als een lage-ruis JFET-versterker.

Het Verschil Tussen JFET en BJT

Bipolaire Overgangs-transistor en JFET hebben verschillen volgens de tabel:

J111 JFET Toepassing

J111 JFET is gemeengoed in hoge-versterking en lage-ruis toepassingen, zoals hieronder vermeld.

• Choppers
• Audio- en industriële toepassingen
• Analoge schakelaars
• Commutatoren

Conclusie

Ter afsluiting: J111 is een JFET-chopper-transistor die functioneert op veel voedingsspanningen. Bovendien maken de werkwijzeparameters het een geschikt product voor veel technische experts omdat het eenvoudig is.

Dat is alles voor vandaag. Echter, voor verdere vragen, aarzel niet om contact met ons op te nemen.