Tungsten-titanium legering targets voor geavanceerde halfgeleiderchips

Tungsten-titanium legering wordt steeds vaker gekozen als diffusiebarrière en bindende laag in nieuwe halfgeleiderapparaten omdat het uitstekende oppervlaktehechting combineert met uitzonderlijke thermische geleiding. Het resultaat is een target dat superieure prestaties levert tijdens het chipfabricatieproces.

Tungsten-Titanium Legering Target

Zowel tungsten als titanium dragen unieke voordelen bij: hoge dichtheid, uitzonderlijke zuiverheid, robuuste corrosiebestendigheid en minimale volumineuze uitdijning. Deze eigenschappen onderdrukken deeltjesvorming tijdens depositie, wat hoogwaardige dunne lagen garandeert.

Bereidingsproces

Hieronder volgt een gestroomlijnde, hoge-efficiënte methode voor het produceren van tungsten-titanium legering blanks geschikt voor batchproductie.

1. Combineer tungstenpoeder (10–65 wt%) met titaniumpoeder onder een inerte atmosfeer om oxidatie te voorkomen.
2. Comprimeer de homogene mengsel tot een billet met een mechanische pers of koude isostatische pers.
3. Plaats de billet in een vacuümsinteroven en verhit om het materiaal volledig te verdichten.
4. Na afkoeling, smelt het gesinterde legering in een niet-verbruikbare vacuümboogoven om de eindtarget te verkrijgen.

Belangrijke voordelen van deze methode:

• Eenvoudig, handig werkproces.
• Elimineert de lage efficiëntie en ongelijke samenstelling van traditionele processen.
• Produceren legeringen met 10–60 wt% tungsten, ideaal voor grootschalige productie.

Conclusie

We hopen dat dit overzicht de voordelen en productie van tungsten-titanium legering targets voor halfgeleidertoepassingen verduidelijkt. Voor diepere inzichten in refractaire metalen en legeringen, bezoek Advanced Refractory Metals (ARM).

Gevestigd in Lake Forest, Californië, is ARM een wereldwijde leider in de levering van hoogwaardige refractaire metalen zoals niobium, molybdeen, tantalum, rhenium, tungsten, titanium en zirconium tegen concurrerende prijzen.