ergFET: NASA's geavanceerde solid-state sensor voor elektrische veld detectie en materiaalkarakterisering

Veldeffect transistor voor gevoelige metingen

NASA's Langley Research Center heeft een solid-state geïntegreerde schakeling ontwikkeld gebaseerd op een veldeffect transistor (FET). De ergFET genaamde sensor karakteriseert de elektronische eigenschappen van materialen, wat detectie van items zoals bagage, bedrading en vloeistoffen mogelijk maakt, en zelfs gebruikt kan worden voor medische imaging zoals remote EKG.

Deze equilibrium-reversing-gate field effect transistor (ergFET) plaatst een elektrode in de buurt van de gate van de transistor om lekkagestromen te controleren en om te keren die typisch zijn in transistoren en tot meetfouten kunnen leiden. Het kan in een array gebouwd worden om hogere-resolutie imaging mogelijk te maken en is een solid-state apparaat zonder bewegende delen. Dit maakt draagbare en handgehouden sensorontwerpen mogelijk.

NASA zoekt actief licentienemers om deze technologie te commercialiseren. Neem contact op met NASA's Licensing Concierge via This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it. of bel 202-358-7432 om licentiegesprekken te initiëren. Volg deze link voor meer informatie.

NASA Goddard's Lab-on-Chip sensor levert realtime stroom- en temperatuurmonitoring Lenslet-gebaseerde integraal veld spectrograaf: Hogeresolutie 2D spectrale imaging

Sensor

Ingebed

Sensor

Cloud computing

Internet of Things-technologie