Samsung onthult H‑Cube 2.5D packaging, ondersteunt 6‑HBM integratie voor HPC & AI

Samsung Electronics heeft de H‑Cube hybride-substraattechnologie onthuld – een 2.5D packaging-platform ontworpen voor high-performance semiconductoren in HPC, AI, datacenters en netwerktopplicaties die grote oppervlakte en superieure prestaties vereisen.

Gecoöperatief ontwikkeld door Samsung Electro‑Mechanics (SEMCO) en Amkor Technology, lost H‑Cube de behoefte aan grootschalige integratie van silicium dies op. Samsung stelt dat het nieuwe pakket het foundry-ecosysteem uitbreidt, met een breed scala aan oplossingen om de evolutieve eisen van klanten te voldoen.

"In de huidige omgeving waar systeemintegratie steeds meer vereist is en substraatvoorziening beperkt is, hebben Samsung Foundry en Amkor Technology succesvol H‑Cube gecoöperatief ontwikkeld om deze uitdagingen te overwinnen," zei JinYoung Kim, senior vice president van globale R&D bij Amkor Technology. "Deze ontwikkeling verlaagt de drempels voor toetreding tot de HPC/AI-markt en demonstreert succesvolle samenwerking en partnerschap tussen de foundry en het outsourced semiconductor assembly and test (OSAT) bedrijf."

H‑Cube structuur en kenmerken

2.5D packaging plaatst logica chips of high-bandwidth memory (HBM) bovenop een silicium interposer in een compacte footprint. Samsung's H‑Cube combineert een fijn-pitch interposer capabel van fine-bump verbindingen met een high-density interconnect (HDI) substraat, wat grootschalige 2.5D pakketten mogelijk maakt.

Naarmate HPC, AI en netwerkworkloads hogere specificaties duwen, wordt groot-oppervlakte packaging essentieel wanneer het aantal en de grootte van chips per pakket groeien of wanneer high-bandwidth interconnects vereist zijn. Fijn-pitch substraten zijn onmisbaar voor het bevestigen van silicium dies, maar hun kosten stijgen scherp met toenemende oppervlakte.

Bij het integreren van zes of meer HBM's wordt het fabriceren van groot-oppervlakte substraten steeds uitdagender, wat yield en efficiëntie reduceert. Samsung aanpak dit door een hybride substraatarchitectuur te adoptie die een gemakkelijk schaalbaar HDI-basis onder een high-end fijn-pitch interposer laagt.

Door de solderbal-pitch met 35% te reduceren ten opzichte van conventionele bal-pitch, krimpt de fijn-pitch substraat-footprint, terwijl de onderliggende HDI-laag robuuste connectiviteit naar het systeembord garandeert.

Om betrouwbaarheid verder te versterken, pas Samsung zijn eigen signal- en power-integriteitsanalyse toe, wat stabiele stroomlevering garandeert en signaalverlies of vervorming minimaliseert bij het stapelen van meerdere logica chips en HBM's.