Inleiding tot veldeffecttransistoren met geïsoleerde poort

Zoals in het vorige hoofdstuk is vermeld, is er meer dan één type veldeffecttransistor. De junctie-veldeffecttransistor, of JFET, gebruikt spanning die wordt aangelegd over een omgekeerd voorgespannen PN-junctie om de breedte van het uitputtingsgebied van die junctie te regelen, die vervolgens de geleidbaarheid regelt van een halfgeleiderkanaal waardoor de gecontroleerde stroom beweegt. Een ander type veldeffectapparaat - de veldeffecttransistor met geïsoleerde poort of IGFET - maakt gebruik van een soortgelijk principe van een uitputtingsgebied dat de geleidbaarheid via een halfgeleiderkanaal regelt, maar het verschilt voornamelijk van de JFET doordat er geen directe verbinding is tussen de gate-lead en het halfgeleidermateriaal zelf. In plaats daarvan is de poortleiding geïsoleerd van het transistorlichaam door een dunne barrière, vandaar de term geïsoleerde poort. Deze isolerende barrière fungeert als de diëlektrische laag van een condensator en zorgt ervoor dat gate-to-source-spanning het uitputtingsgebied elektrostatisch kan beïnvloeden in plaats van door directe verbinding.

Naast een keuze uit een N-kanaal versus P-kanaalontwerp, zijn IGFET's er in twee hoofdtypen:verbetering en uitputting. Het uitputtingstype is nauwer verwant aan de JFET, dus we zullen onze studie van IGFET's ermee beginnen.

GERELATEERD WERKBLAD:

• Werkblad met geïsoleerde poort veldeffecttransistoren