Renesas:in plastic verpakte, stralingstolerante PWM-controller en GaN FET-driver voor smallsats

Renesas Electronics heeft de eerste in plastic verpakte, stralingstolerante PWM-controller en Gallium Nitride FET-driver van de ruimtevaartindustrie aangekondigd voor DC/DC-voedingen in kleine satellieten (smallsats) en lanceervoertuigen. De ISL71043M single-ended stroommodus PWM-controller en ISL71040M low-side GaN FET-driver zijn ideaal voor geïsoleerde flyback- en halfbridge-vermogenstrappen en motorbesturingscircuits in satellietbussen en payloads. Particuliere 'nieuwe ruimte'-bedrijven zijn begonnen met het lanceren van smallsats om grote sterrenbeelden te vormen die opereren in meerdere lage-omloopbaan (LEO) vliegtuigen. Smallsat mega-constellaties bieden wereldwijde breedbandinternetverbindingen, evenals aardobservatiebeelden met hoge resolutie voor het volgen van zee-, lucht- en landactiva.

De ISL71043M PWM-controller biedt snelle signaalvoortplanting en outputomschakeling in een kleine 4 mm x 5 mm SOIC-plastic behuizing, waardoor het PCB-oppervlak tot 3x wordt verkleind in vergelijking met concurrerende keramische pakketten. Bovendien vermindert de maximale voedingsstroom van 5,5 mA van de ISL71043 het vermogensverlies met meer dan 3x, en de instelbare werkfrequentie - tot 1 MHz - maakt een hogere efficiëntie en het gebruik van kleinere passieve filtercomponenten mogelijk. De ISL71043M en ISL71040M zijn getest op karakterisering bij een totale ioniserende doze (TID) van maximaal 30krads (Si), en op single event effects (SEE) bij een lineaire energieoverdracht (LET) van 43 MeV•cm2/mg. Beide apparaten werken binnen een uitgebreid temperatuurbereik van -55 tot +125°C.

De ISL71040M low-side GaN FET-driver stuurt de rad-hard GaN FET's van Renesas veilig aan in geïsoleerde topologieën en boost-typeconfiguraties. De ISL71040M werkt met een voedingsspanning tussen 4,5 V en 13,2 V, een gate-aandrijfspanning (VDRV) van 4,5 V en bevat zowel inverterende als niet-inverterende ingangen. De gesplitste uitgangen van het apparaat passen de in- en uitschakelsnelheden aan, en de hoge stroombron en afvoercapaciteit maakt hoogfrequent gebruik mogelijk. De ISL71040M zorgt voor een betrouwbare werking bij het aansturen van GaN FET's door de gate-driverspanning nauwkeurig te regelen tot +3/-5% over temperatuur en straling. Het bevat ook zwevende beveiligingsschakelingen om onbedoeld schakelen te voorkomen.